エピウエハー
GaN(窒化ガリウム)/ サファイヤ基板
GaN on Sapphire
GaN(窒化ガリウム)/ サファイヤ基板
GaN on Sapphire
◇物理的特性：
結晶構造はウルツ鉱構造と閃亜鉛鉱構造の2種類を取りうるが、前者がエネルギー的に安定であり、よく使われている。
ウルツ鉱構造の格子定数は、a軸が 3.18 Å、c軸が 5.17 Å である。バンドギャップは室温において約 3.4 eV で、波長
では約 365 nm に相当し、紫外領域の光源となる。微量のインジウム (In)を加えて InGaN 結晶にすることで紫色、
青色の光源として用いることができる。発光ダイオードによる光の三原色のひとつとして交通信号やディスプレイに用い
られる。
次のファイヤ上のGaNエピが適用可能です。
・ドープ無しGaN ・n-GaN, Siドープ ・p-GaN, Mgドープ ・i-GaN, 高抵抗, Zn 補正
・r-平面サファイヤ上a-平面GaN
結晶構造はウルツ鉱構造と閃亜鉛鉱構造の2種類を取りうるが、前者がエネルギー的に安定であり、よく使われている。
ウルツ鉱構造の格子定数は、a軸が 3.18 Å、c軸が 5.17 Å である。バンドギャップは室温において約 3.4 eV で、波長
では約 365 nm に相当し、紫外領域の光源となる。微量のインジウム (In)を加えて InGaN 結晶にすることで紫色、
青色の光源として用いることができる。発光ダイオードによる光の三原色のひとつとして交通信号やディスプレイに用い
られる。
次のファイヤ上のGaNエピが適用可能です。
・ドープ無しGaN ・n-GaN, Siドープ ・p-GaN, Mgドープ ・i-GaN, 高抵抗, Zn 補正
・r-平面サファイヤ上a-平面GaN
窒化ガリウム（チッカガリウム、GaN）はガリウムの窒化物であり、主に青色発光ダイオード（青色LED）の材料と
して用いられる半導体である。ガリウムナイトライド (gallium nitride) とも呼ばれる。
して用いられる半導体である。ガリウムナイトライド (gallium nitride) とも呼ばれる。
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パラメータ
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仕様値
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伝導タイプ
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GaN:N-type
(ドープ無し) |
GaN:N-type
(Si ドープ) |
GaN:P type
(Mg ドープ) |
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サイズ:径 / 有効面積
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φ:2インチ(50.8mm ± 0.1mm) / >90%
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厚さ
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4um, 20um
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4um
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面方位/Orientation
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C-面 (0001) ±0.1°
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抵抗率(300K)
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< 0.5 Ω･cm
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< 0.05 Ω･cm
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~10 Ω･cm
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キャリア濃度
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<5x 1017cm-3
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>1x 1018cm-3
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>6x 1016cm-3
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移動度(mobility)
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~300cm2/V･s
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~200cm2/V･s
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~10cm2/V･s
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転移密度(dislocation )
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< 5x 108cm-2
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基板構造(substrate)
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サファイヤ上にGaN膜
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研磨
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標準製品: SSP(前面研磨); オプション:DSP(両面研磨)
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梱包
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クラス100の環境のクリーン室にて窒素雰囲気中で容器に梱包
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◇仕様: GaN(窒化ガリウム)/ サファイヤ基板
注意：その他仕様、在庫状況についてはお問い合わせ下さい。
サイズ:φ100mm タイプ
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パラメータ
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仕様値
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伝導タイプ
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GaN: N-type
(ドープ無し) |
GaN:N type
(Siドープ) |
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サイズ:径 / 厚さ / 有効面積
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φ100mm ± 0.1mm / 4 um, 20um / >90%
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面方位/Orientation
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C-面 (0001) ±0.5°
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抵抗率(300K)
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< 0.5 Ω･cm
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< 0.05 Ω･cm
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キャリア濃度
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<5x 1017cm-3
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>1x 1018cm-3
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移動度(mobility)
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~300cm2/V･s
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~200cm2/V･s
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転移密度(dislocation )
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< 5x 108cm-2
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基板構造(substraate)
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サファイヤ上にGaN膜
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研磨
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標準製品: SSP(前面研磨); オプション:DSP(両面研磨)
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梱包
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クラス100の環境のクリーン室にて窒素雰囲気中で容器に梱包
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サイズ:φ2インチ(50.8mm)タイプ
◇応用：
・GaNホモエピタキシャル成長やデバイス製造に理想的材料
・製造、製品開発、基礎研究
・GaNベースの青/緑/白/UV LEDの新基板開発
・MBE, MOCVD やCVDによるIII-V窒素エピタキシャル成長荷よる基板
・GaN高輝度LED製造のような新しい応用として厚いGaN
・GaNホモエピタキシャル成長やデバイス製造に理想的材料
・製造、製品開発、基礎研究
・GaNベースの青/緑/白/UV LEDの新基板開発
・MBE, MOCVD やCVDによるIII-V窒素エピタキシャル成長荷よる基板
・GaN高輝度LED製造のような新しい応用として厚いGaN
注意：その他仕様、在庫状況についてはお問い合わせ下さい。